เมื่อเดือนกรกฎาคมที่ผ่านมา Samsung และ IBM ประกาศว่าพวกเขาได้พัฒนากระบวนการใหม่เพื่อผลิต RAM ที่ไม่ลบเลือน ซึ่งเรียกว่า MRAM ซึ่ง เร็วกว่าแฟลช NAND ถึง 100, 000 เท่า ถ้าหากเชื่อว่ารายงานยักษ์เกาหลีใต้จะเปิดเผยหน่วยความจำ MRAM ในเดือนหน้าในงาน Foundry Forum
MRAM ย่อมาจาก RAM magnetoresistive และผลิตโดยใช้เทคโนโลยีแรงบิดปั่นถ่ายโอน สิ่งนี้จะนำไปสู่ชิปหน่วยความจำความจุต่ำ สำหรับอุปกรณ์พกพา ที่ปัจจุบันใช้แฟลช NAND เพื่อจัดเก็บข้อมูล
STT-MRAM นี้จะใช้พลังงานน้อยกว่ามากเมื่อเปิดและเก็บข้อมูล เมื่อ RAM ไม่ทำงานมันจะไม่ใช้พลังงานใด ๆ เพราะหน่วยความจำไม่ลบเลือน ดังนั้น MRAM นี้คาดว่าจะถูกใช้อย่างกว้างขวางโดยผู้ผลิตสำหรับ การใช้งานพลังงานต่ำเป็นพิเศษ
Samsung ผลิต DRAM แบบฝังในราคาถูกกว่าหน่วยความจำแฟลช แม้จะมีขนาดที่เล็กกว่าของ MRAM แต่ความเร็วก็เร็วกว่าหน่วยความจำแฟลชทั่วไป น่าเสียดายที่ Samsung ไม่สามารถผลิตหน่วยความจำได้มากกว่าสองสามเมกะไบต์ในขณะนี้ ในสถานะปัจจุบัน MRAM นั้นดีพอที่จะ ใช้เป็นหน่วยความจำแคช กับตัวประมวลผลแอปพลิเคชัน
กิจกรรม Foundry Forum ของ Samsung มีกำหนดการจัดขึ้นในวันที่ 24 พฤษภาคมและหวังว่าเมื่อเราจะได้รับรายละเอียดเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MRAM ที่กำลังจะมาถึงของ Samsung มีรายงานว่าฝ่ายธุรกิจ LSI ของ Samsung ได้สร้างต้นแบบของ SoC ที่มี MRAM ในตัวซึ่งมีแนวโน้มที่จะเปิดตัวในงานเดียวกัน
